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          基于穩(wěn)定中性的三-(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(TTM)衍生物TTM-1ID和TTM-2ID,TTM-2Bi和TTM-3Bi的合成路線
          發(fā)布時(shí)間:2022-01-12     作者:zhn   分享到:


          依據(jù)雙線態(tài)激子的發(fā)光機(jī)制,基于穩(wěn)定中性的三-(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(TTM)衍生物具體開展了以下兩部分內(nèi)容的工作:1.基于TTM和給電子含氮雜環(huán)吲哚單元的修飾合成及光電性能研究。

          我們選取給電子含氮雜環(huán)吲哚分子作為修飾單元,同時(shí)注意到吲哚雖然比咔唑的給電子能力略強(qiáng),但是分子結(jié)構(gòu)上少一個(gè)苯環(huán)會(huì)導(dǎo)致共軛程度明顯降低。我們將吲哚連接到TTM苯環(huán)的對位碳上,合成出具有不同取代基數(shù)目的TTM-1ID和TTM-2ID。

          兩個(gè)分子具有明顯的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移(ICT)性質(zhì),它們的發(fā)射光譜相比TTM紅移,相比TTM-1Cz藍(lán)移。

          兩個(gè)材料的電致發(fā)光(EL)波長都在650 nm左右,并且獲得了在不同電壓下都比較穩(wěn)定的光色。

          CIE坐標(biāo)分別為(0.649,0.306)和(0.667,0.301),接近美國國家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)(NTSC)制定的紅光標(biāo)準(zhǔn)。

          器件的外量子效率分別為1.8%和2.4%,尤其是基于TTM-2ID的電子器件,其雙線態(tài)激子生成比例達(dá)到了接近**的水平。然而,兩個(gè)分子較低的薄膜熒光效率限制了器件性能的進(jìn)一步提高。

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          基于TTM和拉電子含氮雜環(huán)苯并咪唑的修飾合成及光電性能研究。出色的器件性能需要能同時(shí)具備高發(fā)光效率和高激子生成比例的發(fā)光材料。所以在**部分工作中,我們選取常見的吸電子基團(tuán)苯并咪唑作為修飾單元,制備合成了兩個(gè)新穎的具有不同取代基數(shù)目的開殼自由基分子TTM-2Bi和TTM-3Bi。

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          我們通過**分子的ICT程度,既調(diào)控了發(fā)光波長的進(jìn)一步藍(lán)移,同時(shí)又大大提高了其摻雜薄膜的光致發(fā)光效率。

          基于兩個(gè)材料的摻雜器件都展現(xiàn)出了出色的穩(wěn)定性和抗電壓擊穿特性。

          兩個(gè)器件的外量子效率分別達(dá)到了5.4%和4.1%,尤其是基于TTM-2Bi的電致發(fā)光器件,其外量子效率更是超過了傳統(tǒng)熒光OLED外量子效率5%的理論上限,兩個(gè)器件的激子生成比例也分別達(dá)到了69%和57%。

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          小編zhn2022..01.12


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