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          磁性拓?fù)浒虢饘俨牧系慕Y(jié)構(gòu)圖及其拓?fù)浒虢饘購?fù)合材料
          發(fā)布時(shí)間:2020-07-06     作者:wyf   分享到:

          磁性拓?fù)浒虢饘俨牧?/span>的結(jié)構(gòu)圖及其拓?fù)浒虢饘?/span>復(fù)合材料

          pg電子官方生物科技有限公司重視人才、尊重人才,努力實(shí)施科技興企戰(zhàn)略,現(xiàn)已鍛造成一支富有凝聚力和良好作風(fēng)的團(tuán)隊(duì)公司。公司與國內(nèi)多個(gè)高校和科研單位達(dá)成戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。

          磁性拓?fù)浒虢饘偈且环N破壞時(shí)間反演對(duì)稱性,并且在費(fèi)米能級(jí)附近存在孤立的簡并點(diǎn)或簡并線的新型拓?fù)淞孔硬牧,其表面具有自旋極化的費(fèi)米弧或鼓膜態(tài)等拓?fù)浞(wěn)定的邊界態(tài)

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          磁性拓?fù)浒虢饘俨牧系木w結(jié)構(gòu)

          該材料屬于新型的拓?fù)洳牧,其?dú)特的反;魻栃(yīng)、反常能斯特效應(yīng)(Nernst effect)以及拓?fù)湫再|(zhì)易受外磁場(chǎng)調(diào)控等特性,具有類似于基本粒子的低能激發(fā)態(tài),在各個(gè)學(xué)科行業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用具有重要的影響。

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          NdSb的高場(chǎng)磁化率、磁阻測(cè)量(上圖)與負(fù)磁阻測(cè)量(下圖)(上左圖WM2提供高場(chǎng)25T,上右圖WM1提供較高場(chǎng)38T

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          DySb的高場(chǎng)磁阻測(cè)量與能帶計(jì)算結(jié)果(上左混合磁體提供高場(chǎng)38.7T)

          產(chǎn)品列表:

          拓?fù)浒虢饘?/span>Cd_3As_2納米線

          拓?fù)浒虢饘?/span>PtBi_2

          新型拓?fù)浣^緣體和拓?fù)浒虢饘俨牧?/span>

          冷原子光晶格拓?fù)浒虢饘俨牧?/span>

          拓?fù)浣^緣體/拓?fù)涞依税虢饘俨牧?/span>

          Heusler型拓?fù)浣^緣體與半金屬材料

          拓?fù)浒虢饘?/span>AuTe_2Br/YbMnBi_2

          發(fā)紅光拓?fù)涔?jié)線半金屬ZrSiS

          半金屬WTe_2與過渡金屬硫化亞磷酸鹽材料

          HfTe2二碲化鉿拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          PtSe2二硒化鉑拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          TiS2二硫化鈦拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          TiSe2相二硒化鈦拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          TiTe2(二碲化鈦)拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          WTe2(二碲化鎢)拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          ZrTe3(三碲化鋯)拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          As2Te4(碲化砷)拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          Bi2Se3(硒化鉍)拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          Bi2Te3(碲化鉍)拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          Sb2Te3(碲化銻)拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          Bi4Te15S5拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          BiTITe拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          MICA白云母拓?fù)浒虢饘俳^緣體

          拓?fù)浒虢饘?/span>HgCr_2Se_4

          二硫化鈦基納米片復(fù)合材料

          二硫化鈦納米片/量子點(diǎn)復(fù)合物

          拓?fù)浒虢饘俸丸F基超導(dǎo)材料

          TiS2基納米復(fù)合材料

          有機(jī)分子層狀二硫化鈦夾層化合物

          發(fā)紅光的拓?fù)涔?jié)線半金屬ZrSiS

          Bi2Se3硒化鉍拓?fù)浣^緣體單晶體

          磁性拓?fù)浣^緣體

          Bi2Te2Se拓?fù)浣^緣體納米帶

          Bi2Te3碲化鉍拓?fù)浣^緣體

          Bi基拓?fù)浣^緣體

          拓?fù)浣^緣體Bi0.05Sb1.95Te3納米片

          二維拓?fù)浣^緣體

          拓?fù)浣^緣體薄膜

          拓?fù)浣^緣體微粒

          拓?fù)浣^緣體HgTe納米材料

          Heusler型拓?fù)浣^緣體LaPtBi

          三維拓?fù)浣^緣體

          拓?fù)浣^緣體(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜

          拓?fù)浣^緣體Sb2Te3薄膜

          Cr摻雜拓?fù)浣^緣體Bi2Se3

          Cu2Se為基底的納米拓?fù)浣^緣體材料

          CuxBi2Se3拓?fù)浣^緣體

          Cr摻雜BixSbyTe3晶體

          Cr摻雜Bi2Se3

          Fe摻雜Bi2Se3

          Cr0.1(Bi0.1Sb1-0.1)2-0.1Te3撲絕緣體量子阱薄膜的材料

          800nm拓?fù)浣^緣體

          一維的拓?fù)浣^緣體SSH模型拓?fù)?/span>

          Bi2Se2Te三元拓?fù)浣^緣體

          Bi2-xSbxSe3三元拓?fù)浣^緣體

          Bi2-xSbxTe3三元拓?fù)浣^緣體

          四元拓?fù)浣^緣體Bi2-xSbxTe3-ySey (BSTS)

          Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2四元拓?fù)浣^緣體

          Bi2Te3-Bi2Se3的異質(zhì)結(jié)構(gòu)

          Bi2Te3三角形的納米薄片

          Bi2Te3六邊形的納米薄片

          Bi2Se3三角形的納米薄片

          Bi2Se3六邊形的納米薄片

          過渡金屬化合物LaRu3Si2

          Bi4O4S3超導(dǎo)體

          溫馨提示:西安pg電子官方生物供應(yīng)產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體。

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