一種基于硫化鉛包覆鈣鈦礦量子點(diǎn)的電致發(fā)光LED，其特征在于:采用PbS包覆鈣鈦礦量子點(diǎn)改善其光電性能和穩(wěn)定性，并以此量子點(diǎn)材料作為發(fā)光層制備鈣鈦礦量子點(diǎn)電致發(fā)光LED；所述PbS包覆的鈣鈦礦量子點(diǎn)LED的結(jié)構(gòu)包括:ITO玻璃作為底部電極；n型Zn0/聚乙烯亞胺作為電子傳輸層和空穴阻擋層；PbS包覆的鈣鈦礦量子點(diǎn)作為發(fā)光層；p型4，4'，4”-三(咔唑-9-基)苯胺薄膜作為空穴傳輸層和電子阻擋層；MoO3/Au作為頂部電極。

一種基于硫化鉛包覆鈣鈦礦量子點(diǎn)電致發(fā)光LED的制備方法，

一步、制備PbS包覆的CsPbI3量子點(diǎn)；

二步、先后用肥皂、去離子水、乙醇、氯仿、丙酮、異丙醇仔細(xì)清洗ITO導(dǎo)電玻璃，并進(jìn)。行紫外臭氧處理，ITO作為底部電極:

三步、以每分鐘1000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速，將Zn0量子點(diǎn)溶液旋涂在ITO玻璃上，旋涂時(shí)間是1分鐘，然后在空氣中以150C的溫度退火10分鐘；再將上述薄膜轉(zhuǎn)移到Nz手套箱中，在110°C的溫度下，以每分鐘3000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速將溶解在2-甲氧基乙醇溶液中的PEI旋涂在Zn0薄膜。上，時(shí)間是10分鐘,Zn0/PEI層作為電子傳輸層和空穴阻擋層；

四步、以每分鐘1000轉(zhuǎn)的速度，將制備好的PbS包覆CsPbI3量子點(diǎn)旋涂在Zn0/PEI層上，旋涂時(shí)間是1分鐘，作為發(fā)光層；

五步、將上一步獲得的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到真空度為1X10~'torr的真空腔內(nèi)，依次通過熱蒸發(fā)沉積TCTA、Mo03和Au薄膜層，其中TCTA層作為空穴傳輸層和電子阻擋層，Mo03/Au層作為頂部電極；由此獲得PbS包覆鈣鈦礦量子點(diǎn)電致發(fā)光LED。

圖1本**中基于PbS包覆鈣鈦礦量子點(diǎn)的電致發(fā)光LED的結(jié)構(gòu)圖

圖2本**中PbS包覆CsPbI3量子點(diǎn)的透射電鏡圖像(a)和高分辨透射電子顯微鏡圖像(b)；

西安pg電子官方生物供應(yīng)溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)400nm～650nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。

Cs2AgBiBr6鈣鈦礦量子點(diǎn)

Cs3Bi2Br9鈣鈦礦量子點(diǎn)

二氧化硅包裹的鈀摻雜無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbX3(X=Cl/Br/I)鈣鈦礦量子點(diǎn)

油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn) 高亮藍(lán)紫光到紅光 PL 400 nm -- 650 nm

偶氮苯改性金屬鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)

鈣鈦礦量子點(diǎn)/介孔MOF5復(fù)合發(fā)光材料

CsPbBr3@PS聚苯乙烯鈣鈦礦量子點(diǎn)

烷基胺苯丙烯胺(PPA)鈣鈦礦量子點(diǎn)

MoS2/CsPbBr3二硫化鉬鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr3@Ag銀修飾鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbX3/ZnS Quantum Dot量子點(diǎn)

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.07

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。