采用液相剝離法將塊狀黑磷晶體剝離得到片狀黑磷，然后采用溶劑熱法；制備黑磷量子點(diǎn)氮甲基吡咯烷酮分散液；將黑磷量子點(diǎn)分散液加入到石墨烯氮甲基吡咯烷酮分散液中，采用共沉淀法使得黑磷量子點(diǎn)吸附到石墨烯納米片的表面，然后烘干，離心洗滌，干燥后即可得到所需材料。

一種黑磷量子點(diǎn)/碳化鈦納米片復(fù)合材料(BPQDs/Ti3C2)的制備方法，其特征在于，該方法采用以下步驟：

 (1)利用酸對(duì)Ti3AlC2進(jìn)行刻蝕得到Ti3C2，然后在水中超聲得到單層或少層的Ti3C2納米片并將其凍干；

 (2)黑磷塊在排除空氣的有機(jī)溶劑中超聲剝離得到黑磷量子點(diǎn)；

 (1) 將步驟(1)制備的Ti3C2納米片與步驟(2)得到的帶有黑磷量子點(diǎn)的有機(jī)溶液混和，隨后進(jìn)行超聲、攪拌、干燥處理制備得到黑磷量子點(diǎn)/碳化鈦納米片復(fù)合材料(BPQDs/Ti3C2)納米片復(fù)合材料，

黑磷量子點(diǎn)均勻較密集的分散在Ti3C2納米片表面，黑磷量子點(diǎn)的三維尺寸均小于10nm，其不僅可以全方位地縮短鋰離子擴(kuò)散路徑，而且可以**的減緩充/放電過(guò)程中電極材料的體積膨脹，Ti3C2納米片厚度為10～100nm。

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

谷胱甘肽修飾CdTe量子點(diǎn)(GSH-CdTe QDs)

谷胱甘肽修飾CdTe/CdS量子點(diǎn)(GSH-CdTe/CdS QDs)

POSS修飾CdTe/CdS量子點(diǎn)

N-乙酰-L-半胱氨酸修飾CdTe/CdS核/殼量子點(diǎn)

葉酸受體修飾CdTe/CdS量子點(diǎn)

水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修飾碲化鎘量子點(diǎn)(NAC-CdTe)

巰基化殼聚糖修飾碲化鎘量子點(diǎn)CdTe QDs

巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)(TGA-CdTe-QDs)

石墨烯-碲化鎘量子點(diǎn)復(fù)合材料(G-CdTe QDs)

氧化石墨烯-碲化鎘量子點(diǎn)(rGO-CdTe QDs)

硒化鎘/硫化鋅(CdSe/ZnS)量子點(diǎn)

牛血清白蛋白包裹ZnS量子點(diǎn)(BSA-ZnS QDs)

3-巰基丙酸包裹ZnS量子點(diǎn)(MPA-ZnS QDs)

γ-環(huán)糊精-葉酸包合物(γ-CD/FA)修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)(QDs)納米

鏈酶親和素修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

環(huán)糊精修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.08

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。