本文采用多種多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)，并通過溶液共混法制備了透明的量子點(diǎn)/PVB復(fù)合材料。同時(shí)，通過紅外光譜(IR)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外光譜(UV)、熒光光譜(PL)等測試手段對POSS修飾的量子點(diǎn)以及復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和熒光特性進(jìn)行了詳細(xì)的研究�！�

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)的制備方法

將一定量的POSS-SH和4ml非極性有機(jī)溶劑加入到單口燒瓶中，置于搖床中振蕩，使POSS-SH完全溶解。隨后，將4mlCdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)加入到上述溶液中，室溫下中速振蕩8h。反應(yīng)結(jié)束后避光保存。

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)原理

基于巰基與金屬之間的相互作用，用巰基化合物對量子點(diǎn)進(jìn)行表面修飾是一-種**的方法。使用POSS-SH與CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)進(jìn)行配體交換，制備了QDs@POSS-SH，如圖2-2所示。

兩種不同發(fā)射波長的CdSe/CdS/ZnS及其對應(yīng)QDs@POSS-SH在日光和紫外線照射下的宏觀狀態(tài)如圖2-3所示(未修飾和經(jīng)POSS-SH修飾的量子點(diǎn)的濃度相同)。在紫外光照射下，CdSe/CdS/ZnS及其對應(yīng)QDs@POSS-SH發(fā)射出特定波長的光，分別為紅色和黃色。這是因?yàn)榱孔狱c(diǎn)由于量子限域效應(yīng)而使電子和空穴在三個(gè)空間方向上的運(yùn)動(dòng)受到限制，受激后發(fā)出熒光。

兩種不同發(fā)射波長的CdSe/CdS/ZnS和QDs@POSS-SH的熒光光譜如圖2-7所示。紅光量子點(diǎn)和黃光量子點(diǎn)的發(fā)射波長分別為630nm和580nm，半高峰寬(FWHM)均為28nm。經(jīng)POSS-SH修飾后，量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度提高了10%。

圖2-10為QDs@POSS-SH的透射電鏡圖。圖2-10A中量子點(diǎn)經(jīng)修飾后分散性好，無團(tuán)聚出現(xiàn)。圖2-10B和C中量子點(diǎn)排列規(guī)整，分別自組裝呈三角形和圓形結(jié)構(gòu)。從圖2-10D中可以觀察到量子點(diǎn)的晶格結(jié)構(gòu)，量子點(diǎn)星陣列結(jié)構(gòu)。圖2-10E為圖2-10D中圓圈中單個(gè)QDs@POSS-SH的放大圖，可以看出，經(jīng)POSS-SH修飾后，量子點(diǎn)被POSS-SH包覆，粒徑為7.5nm。TEM表明POSS-SH成功地修飾了量子點(diǎn)。

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

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碳量子點(diǎn)修飾二氧化硅SiO2@CDs

PGMA-g-EDA聚合物修飾量子點(diǎn)(PGMA-g- EDA-QDs)水溶性

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碲化鎘量子點(diǎn)CdTe QDs修飾金電極(CdTe QDs/Au E)

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CoP量子點(diǎn)修飾g-C3N4石墨相氮化碳

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二硫化鎢/二硫化鉬量子點(diǎn)

MoS2量子點(diǎn)摻雜聚苯乙烯材料

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四氧化三鐵修飾二硫化鉬量子點(diǎn)Fe3O4@MoS2量子點(diǎn)

二硫化鉬改性聚酰亞胺

錳摻雜二硫化鉬量子點(diǎn)

Co摻雜的MoS2二硫化鉬量子點(diǎn)

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CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯材料

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.08

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。