六方氮化硼與石墨烯復合形成異質(zhì)結（h-BN/Graphene）的表征圖

西安pg電子官方生物科技有限公司供應氮化硼粉末、單層、少層氮化硼，六方氮化硼納米片、各種基底CVD生長的氮化硼(c-BN)薄膜、原子摻雜六方氮化硼、以及合成六方氮化硼、石墨烯、二硫化鉬等形成異質(zhì)結復合材料。

異質(zhì)結是兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域，異質(zhì)結常具有兩種半導體各自的PN結都不能達到的優(yōu)良的光電特性，使它適宜于制作超高速開關器件、太陽能電池以及半導體激光器等。因此通過將六方氮化硼與其他二維材料進行復合形成異質(zhì)結以結合兩種材料的優(yōu)點和特性，也是現(xiàn)在研究的熱點之一。將氮化硼BN和石墨烯進行單原子層的復合，從而利用BN的絕緣性能和石墨的導電能力，吸引了工業(yè)界和科學界的廣泛注意。通過CVD或者外延生長的方法，都可以實現(xiàn)異質(zhì)結的形成。

石墨烯/h-BN異質(zhì)結3種不同的堆積方式示意圖（a）AA; （b）ABB;（c）ABN;上圖為俯視圖

BN-石墨烯異質(zhì)結的制備和表征

(a) 石墨烯/h-BN面內(nèi)及縱向疊層異質(zhì)結的生長示意圖; (b)異質(zhì)結的UV-visible光譜表征

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水溶性六方氮化硼納米片

零維氮化硼富勒烯和納米粒子

一維氮化硼納米管BNNTs

二維氮化硼納米片BNNSs

二硫化鉬/二硫化鎢異質(zhì)結MoS2/WS2

二硫化鉬/二硒化鎢異質(zhì)結MoS2/WSe2

二硫化鉬/二硫化鎢/石墨烯異質(zhì)結MoS2/WS2/MoS2/WS2

二硫化鉬/氮化硼/石墨烯異質(zhì)結MoS2/hBN/Graphene

二硫化鉬/二硫化鎢/氮化硼/石墨烯異質(zhì)結MoS2/WS2/hBN/Graphene  

二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結薄膜MoS2/Graphene

二硫化鎢/石墨烯異質(zhì)結薄膜WS2/Graphene

二硒化鎢/石墨烯異質(zhì)結薄膜WSe2/Graphene

二硒化鉑/石墨烯異質(zhì)結薄膜PtSe2/Graphene

二硒化錸/石墨烯異質(zhì)結ReSe2/Graphene

二硫化錫/石墨烯異質(zhì)結SnS2/Graphene

二硒化錫/石墨烯異質(zhì)結SnSe2/Graphene  

二硫化鉬/氮化硼異質(zhì)結MoS2/hBN

二硫化鎢/氮化硼異質(zhì)結WS2/hBN

二硒化鉬/氮化硼異質(zhì)結MoSe2/hBN

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