聚乙二醇單甲醚修飾SnO2二氧化錫量子點(diǎn)的制備方法

一種聚乙二醇單甲醚修飾的二氧化錫量子點(diǎn)的制備方法，其特征是，包括以下步驟：

步驟一、將8.7645g的SnCl<Sub>4</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O溶解在50mL去離子水中，并在室溫下磁力攪拌30分鐘，得到Sn離子濃度為0.5mol/L的水溶液；

步驟二、將所得水溶液倒入反應(yīng)釜中，并在180℃下水熱處理2小時(shí)，得到懸濁液；

步驟三、將所得懸濁液離心，得到沉淀物；取出沉淀物后在沉淀物中加入5mL聚乙二醇單甲醚并超聲1小時(shí)，得到PEGME-SnO<Sub>2</Sub>QDs溶膠；

步驟四、將所得PEGME-SnO<Sub>2</Sub>QDs溶膠在過量乙醇中反復(fù)沉淀、離心洗滌3次后置于60℃環(huán)境下烘干10小時(shí)，得到PEGME-SnO<Sub>2</Sub>QDs粉末，即制得聚乙二醇單甲醚修飾的二氧化錫量子點(diǎn)光催化劑。

其它量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

PEG修飾紅色I(xiàn)nP/ZnS量子點(diǎn)

CuInS2/ZnS-PEG量子點(diǎn)

PEG400修飾ZnS:Cu量子點(diǎn)

PEG修飾二氧化硅包覆碲化鎘量子點(diǎn)

MePEG-PLA修飾CdSe/ZnS核殼型量子點(diǎn)

Co摻雜PEG修飾近紅外二區(qū)量子點(diǎn)ZnO量子點(diǎn)

Cu摻雜PEG修飾ZnO量子點(diǎn)

S摻雜PEG修飾近紅外二區(qū)量子點(diǎn)ZnO量子點(diǎn)

Cd摻雜PEG修飾ZnO量子點(diǎn)

聚乙二醇修飾二硫化錫插層量子點(diǎn)

聚乙二醇單甲醚修飾二氧化錫量子點(diǎn)

聚乙二醇-硫量子點(diǎn)

PEG修飾水溶性近紅外二區(qū)量子點(diǎn)ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)

PEG修飾水溶性CdSe/ZnS 量子點(diǎn)

PEG修飾水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)

PEG修飾水溶性近紅外二區(qū)量子點(diǎn)CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)

PEG修飾水溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)

PEG修飾水溶性InP/ZnS

PEG修飾水溶性近紅外二區(qū)量子點(diǎn)CuInS/ZnS 量子點(diǎn)

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以上資料來自小編axc,2022.05.09

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。